دانلود ویدئو های آموزشی درس اصول ادوات حالت جامد دانشگاه صنعتی شریف

معرفی درس:

اصول ادوات حالت جامد

در این درس با اصول کار ادوات الکترونیکی از قبیل ترانزیستور و دیود آشنا میشویم .

لینک مطالب درس، تکالیف ، امتحانات ، کوییز ها و اسلایدها :

http://ee.sharif.edu/~sarvari/25772/25772.html

معرفی استاد:

رضا سروری

رضا سروری فارغ التحصیل کارشناسی و کارشناسی ارشد دانشگاه شریف در سال ۱۹۹۸ میلادی و دوره دکتری انستیوت تکنولوژی جورجیا امریکا در سال ۲۰۰۸ میباشد .او هم اکنون استادیار دانشکده برق دانشگاه شریف است . زمینه فعالیت ایشان اتصالات در مدارهای مجتمع و کاربردهای نانوفن‌آوری در مدارهای مجتمع است.

لیست درسها و جلسات:

جلسه اول – توضیحات اولیه درس و رسیدن از اتم تا ترانزیستور در یک جلسه

جلسه دوم – تاریخچه فیزیک کوانتوم و حالت جامد

جلسه سوم – اصول مکانیک کوانتوم و معادله‌ی شرودینگر

جلسه چهارم – حل معادله‌ی شرودینگر برای چند مساله‌ی خاص

جلسه پنجم – جامد بلوری، شبکه براوه، ضرایب میلر

جلسه ششم – پیوندهای اتمی، نمایش نمودارهای انرژی، مفهوم الکترون-حفره

جلسه هفتم – نمودارهای E-K، مفهوم جرم موثر، مواد مستقیم و غیر مستقیم

جلسه هشتم – افزودن ناخالصی به نیمه‌هادی، چگالی حالات، توزیع فرمی، چگالی الکترون حفره‌ها بر حسب تراز فرمی

جلسه نهم – تابعیت از دما، یونیزه شدن ناخالصی‌ها

جلسه دهم – جریان‌های رانش و نفوذ، طول پیمایش آزاد، پراکندگی از شبکه(فونون) و یون‌ها

جلسه یازدهم – رابطه‌ی انشتین، مفهوم تعادل، راه‌های برهم زدن تعادل، مکانیسم‌های ترکیب-تولید، تزریق ضعیف

جلسه دوازدهم – نرخ ترکیب-تولید، معادله‌ی پیوستگی، معادله‌ی نفوذ اقلیت‌ها، ترازهای شبه‌فرمی

جلسه سیزدهم – پیز

جلسه چهاردهم – دیود، توصیف کیفی دیود، ولتاژ ذاتی دیود، فرض‌های دیود ایده‌آل

جلسه پانزدهم – روابط کمی I-V دیود ایده‌آل، معادله‌ی کنترل بار

جلسه شانزدهم – دیود غیر ایده‌آل، ترکیب و تولید در ناحیه تخلیه، مکانیسم‌های شکست، تزریق شدید

جلسه هفدهم – مشخصه سیگنال کوچک دیود، خازن تخلیه و نفوذ، رفتار گذرای دیود

جلسه هجدهم – پیوند فلز-نیمه‌هادی، اثر شاتکی، دیود شاتکی و اتصال اهمی

جلسه نوزدهم – ترانزیستور اثر میدانی JFET و MESFET و MOSFET

جلسه بیستم – خازن MOS، ولتاژ Flat Band، انباشتگی، تخلیه، وارونگی

جلسه بیست و یکم – ولتاژ آستانه، نمایش فضایی انباشتگی، تخلیه، وارونگی

جلسه بیست و دوم – منحنی C-V (فرکانس بالا و پایین)، طول دبای، بارهای درون اکسید

جلسه بیست و سوم – بارهای اکسید (بارهای ثابت، یون‌های متحرک، تله‌های سطحی)، اکسید پالی سیلیکان، قطر موثر اکسید، تنظیم آستانه با کاشت یون و ولتاژ بدنه

جلسه بیست و چهارم – توصیف کیفی ترانزیستور MOSFET، تقریب ناحیه‌ی تخلیه و محاسبه‌ی کمی I-V، موبیلیتی موثر

جلسه بیست و پنجم – پارامتر اثر بدنه، مدولاسیون طول کانال، مدل سیگنال کوچک، جریان زیرآستانه

جلسه بیست و ششم – کوچک سازی MOSFET، اشباع سرعت، شرایط و آثار کانال کوتاه

جلسه بیست و هفتم – کوچک سازی میدان ثابت و مشکلات آن، DIBL، punchthrough ، الکترون داغ، توصیف BJT

جلسه بیست و هشتم – مولفه‌های جریان در BJT، بازده امیتر و فاکتور عبور بیس، فرض‌های BJT ایده‌آل و معادلات جریان

جلسه بیست و نهم – تاثیر ترکیب در بیس، فرض شبه ایده‌آل، مدل ابرز-مول، مدل کنترل بار

جلسه سی ام – پاسخ‌های گذرای BJT، ولتاژ ارلی، شکست، ملاحظات هندسی، مدل سیگنال کوچک

منبع: سایت مکتب خونه

(بدون امتیاز)

Loading...