دانلود ویدئو های آموزشی درس اصول ادوات حالت جامد دانشگاه صنعتی شریف

maktabkhoone5
مطلب نوشته شده
۱۴ فروردین ۹۴
دفعات بازدید
303

معرفی درس:

اصول ادوات حالت جامد

در این درس با اصول کار ادوات الکترونیکی از قبیل ترانزیستور و دیود آشنا میشویم .

لینک مطالب درس، تکالیف ، امتحانات ، کوییز ها و اسلایدها :

http://ee.sharif.edu/~sarvari/25772/25772.html

 

معرفی استاد:

رضا سروری

رضا سروری فارغ التحصیل کارشناسی و کارشناسی ارشد دانشگاه شریف در سال ۱۹۹۸ میلادی و دوره دکتری انستیوت تکنولوژی جورجیا امریکا در سال ۲۰۰۸ میباشد .او هم اکنون استادیار دانشکده برق دانشگاه شریف است . زمینه فعالیت ایشان اتصالات در مدارهای مجتمع و کاربردهای نانوفن‌آوری در مدارهای مجتمع است.

 

لیست درسها و جلسات:

جلسه اول – توضیحات اولیه درس و رسیدن از اتم تا ترانزیستور در یک جلسه

جلسه دوم – تاریخچه فیزیک کوانتوم و حالت جامد

جلسه سوم – اصول مکانیک کوانتوم و معادله‌ی شرودینگر

جلسه چهارم – حل معادله‌ی شرودینگر برای چند مساله‌ی خاص

جلسه پنجم – جامد بلوری، شبکه براوه، ضرایب میلر

جلسه ششم – پیوندهای اتمی، نمایش نمودارهای انرژی، مفهوم الکترون-حفره

جلسه هفتم – نمودارهای E-K، مفهوم جرم موثر، مواد مستقیم و غیر مستقیم

جلسه هشتم – افزودن ناخالصی به نیمه‌هادی، چگالی حالات، توزیع فرمی، چگالی الکترون حفره‌ها بر حسب تراز فرمی

جلسه نهم – تابعیت از دما، یونیزه شدن ناخالصی‌ها

جلسه دهم – جریان‌های رانش و نفوذ، طول پیمایش آزاد، پراکندگی از شبکه(فونون) و یون‌ها

جلسه یازدهم – رابطه‌ی انشتین، مفهوم تعادل، راه‌های برهم زدن تعادل، مکانیسم‌های ترکیب-تولید، تزریق ضعیف

جلسه دوازدهم – نرخ ترکیب-تولید، معادله‌ی پیوستگی، معادله‌ی نفوذ اقلیت‌ها، ترازهای شبه‌فرمی

جلسه سیزدهم – پیز

جلسه چهاردهم – دیود، توصیف کیفی دیود، ولتاژ ذاتی دیود، فرض‌های دیود ایده‌آل

جلسه پانزدهم – روابط کمی I-V دیود ایده‌آل، معادله‌ی کنترل بار

جلسه شانزدهم – دیود غیر ایده‌آل، ترکیب و تولید در ناحیه تخلیه، مکانیسم‌های شکست، تزریق شدید

جلسه هفدهم – مشخصه سیگنال کوچک دیود، خازن تخلیه و نفوذ، رفتار گذرای دیود

جلسه هجدهم – پیوند فلز-نیمه‌هادی، اثر شاتکی، دیود شاتکی و اتصال اهمی

جلسه نوزدهم – ترانزیستور اثر میدانی JFET و MESFET و MOSFET

جلسه بیستم – خازن MOS، ولتاژ Flat Band، انباشتگی، تخلیه، وارونگی

جلسه بیست و یکم – ولتاژ آستانه، نمایش فضایی انباشتگی، تخلیه، وارونگی

جلسه بیست و دوم – منحنی C-V (فرکانس بالا و پایین)، طول دبای، بارهای درون اکسید

جلسه بیست و سوم – بارهای اکسید (بارهای ثابت، یون‌های متحرک، تله‌های سطحی)، اکسید پالی سیلیکان، قطر موثر اکسید، تنظیم آستانه با کاشت یون و ولتاژ بدنه

جلسه بیست و چهارم – توصیف کیفی ترانزیستور MOSFET، تقریب ناحیه‌ی تخلیه و محاسبه‌ی کمی I-V، موبیلیتی موثر

جلسه بیست و پنجم – پارامتر اثر بدنه، مدولاسیون طول کانال، مدل سیگنال کوچک، جریان زیرآستانه

جلسه بیست و ششم – کوچک سازی MOSFET، اشباع سرعت، شرایط و آثار کانال کوتاه

جلسه بیست و هفتم – کوچک سازی میدان ثابت و مشکلات آن، DIBL، punchthrough ، الکترون داغ، توصیف BJT

جلسه بیست و هشتم – مولفه‌های جریان در BJT، بازده امیتر و فاکتور عبور بیس، فرض‌های BJT ایده‌آل و معادلات جریان

جلسه بیست و نهم – تاثیر ترکیب در بیس، فرض شبه ایده‌آل، مدل ابرز-مول، مدل کنترل بار

جلسه سی ام – پاسخ‌های گذرای BJT، ولتاژ ارلی، شکست، ملاحظات هندسی، مدل سیگنال کوچک

 

منبع: سایت مکتب خونه

1 ستاره2 ستاره3 ستاره4 ستاره5 ستاره (بدون امتیاز)
Loading...
برای دانلود از فایل نیکو حتما بر روی لینک های دانلود کلیک کنید

برترین ویدیوها

درحال بارگزاری

نظر بدهید

لطفا پیش از ارسال نظر ، به نکات زیر توجه فرمایید :
  • پسورد تمامی فایل ها www.fileniko.com می باشد.
  • دانلود از فایل نیکو فقط از داخل ایران امکان پذیر است ( IP ایران ).
  • درصورت مشاهده هرگونه خطا در هنگام Extract کردن، راهنمای دانلود را بخوانید.
  • از نوشتن دیدگاه های غیر مرتبط با پست جدا خودداری کنید.
  • فارسی تایپ کنید و برای سوال مجدد در صفحه از دکمه پاسخ دادن استفاده نمایید. نظرات فینگلیش تایید نخواهند شد.
  • قبل از ارسال کامنت حتما متن پست + نظرات سایر دوستان را بخوانید . نظرات اسپم و تکراری تایید نخواهند شد.
  • نظر شما ممکن است بدون پاسخ تایید شوند که در این صورت باید منتظر پاسخ از سوی دیگر کاربران باشید .
  • فقط نظراتی که جنبه عمومی داشته باشند تایید و منتشر می شوند.
  • لطفا انتقادات و پیشنهادات و همچنین درخواست های خود را از بخش های تماس با ما و درخواستی ها ارسال نمایید
موارد فوق را مطالعه کردم